項目

內(nèi)容

分辨率

1.2 nm @ 30 kV
3.0 nm @ 1 kV
2.0 nm @ 1 kV 減速模式*1
3.0 nm @ 15 kV 低(dī)真空(kōng)模式*2

放大(dà)倍率

10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600 像素)
30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)

電(diàn)子光學系統

電(diàn)子槍

ZrO /W 肖特基式電(diàn)子槍

加速電(diàn)壓

0.5 - 30 kV (0.1 kV 步進)

着陸電(diàn)壓

減速模式: 0.1 - 2.0 kV ＊1

最大(dà)束流

> 200 nA

探測器(qì)

低(dī)位二次電(diàn)子探測器(qì)

低(dī)真空(kōng)模式*2

真空(kōng)範圍: 10 - 300 Pa

馬達台

馬達台控制(zhì)

5 - 軸自動 (優中心)

可(kě)動範圍

X：0～100mm
Y：0～50mm
Z：3～65mm
T：-20～90°
R：360°

最大(dà)樣品尺寸

最大(dà)直徑: 200 mm
最大(dà)高(gāo)度: 80 mm

選配探測器(qì)

· 高(gāo)分辨率頂位二次電(diàn)子探測器(qì)＊1

· 高(gāo)靈敏度低(dī)真空(kōng)探測器(qì) (UVD)

· 5分割半導體(tǐ)探測器(qì) (PD-BSD)*3

· 能譜儀 (EDS)

· 波譜儀 (WDS)

· 背散射電(diàn)子衍射探測器(qì) (EBSD)